सिंगल क्रिस्टल गैलियम आर्सेनाइड
GaAs वेफर या GaAs सब्सट्रेट वेफर। 2"GaAs वेफर, 3"GaAs वेफर, 4"GaAs वेफर, 6"GaAs वेफर
वीसीएसईएल के लिए GaAs वेफर, LD के लिए GaAs वेफर, LED के लिए GaAs वेफर, माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स के लिए GaAs वेफर।
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GaAs सब्सट्रेट वेफर्स |
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वस्तु |
इकाई |
एलडी अनुप्रयोग विशिष्टताएँ |
एलईडी अनुप्रयोग विशिष्टताएँ |
माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स विशिष्टताएँ |
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आचरण प्रकार |
N- प्रकार |
पी-प्रकार/एन-प्रकार |
- |
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क्रिस्टल ग्रोथ मेथड |
वीजीएफ |
वीजीएफ |
वीजीएफ |
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डोपेंट |
सी |
Zn/Si |
पूर्ववत |
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व्यास |
इंच |
2'', 3'', 4'' और 6'' |
2'', 3'', 4'' और 6'' |
2'', 3'', 4'' और 6'' |
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वेफर ओरिएंटेशन |
(100)±0.1 डिग्री |
(100)±0.5 डिग्री |
(100)±0.5 डिग्री |
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का/IF |
यूएस या ईजे |
यूएस या ईजे |
यूएस, ईजे या नॉच |
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कैर्री एकाग्रता |
/सेमी³ |
(0.4-2.5)×1018 |
(0.5-5)×1019 (0.4-4)×1018 |
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प्रतिरोधकता(आरटी पर) |
ओम.से.मी |
(1.2-9.9)×10-3 |
(1.2-9.9)×10-3 |
>107 |
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गतिशीलता |
सेमी²/बनाम |
>1500 |
5-120/>1000 |
>4000 |
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ईच पिट घनत्व(ईपीडी) |
/सेमी2 |
<500 |
<5000 |
<5000 |
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लेज़र मार्किंग |
अनुरोध पर |
अनुरोध पर |
अनुरोध पर |
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मोटाई |
μm |
(350-650)±25 |
(350-650)±25 |
(350-650)±25 |
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टीटीवी(पी/पी) |
μm |
5 से कम या उसके बराबर |
5 से कम या उसके बराबर |
4 से कम या बराबर |
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टीटीवी(पी/ई) |
μm |
10 से कम या उसके बराबर |
10 से कम या उसके बराबर |
10 से कम या उसके बराबर |
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ताना |
μm |
10 से कम या उसके बराबर |
10 से कम या उसके बराबर |
10 से कम या उसके बराबर |
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सतह |
पक्ष 1 पक्ष 2 |
पॉलिश पॉलिश/नक़्क़ाशीदार |
पॉलिश पॉलिश/नक़्क़ाशीदार |
पॉलिश पॉलिश/नक़्क़ाशीदार |
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EPI-तैयार |
हाँ |
हाँ |
हाँ |
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पैकेट |
कैसेट या एकल वेफर कंटेनर |
कैसेट या एकल वेफर कंटेनर |
कैसेट या एकल वेफर कंटेनर |
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* वेफर की मोटाई और अभिविन्यास निर्दिष्ट किया जा सकता है। |
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